主要功能：
镀纳米级金属、介质薄膜，能实现反溅射、共溅射和反应溅射功能。
技术指标：
电源： 射频源600W，直流源
2 kW
晶片尺寸： 最大6英寸
极限真空度： 优于1×10-7Torr
工艺气体： Ar、O2、N2
加热温度： ＜1000℃
典型沉积速率： 0.1~8 Å/s
膜厚均匀性： 5%
可镀薄膜： 各类金属、介质膜，如Au、
Ag、SiO2等