主要功能：
利用高能量电子束对蒸发物料进行电子轰击加热，使得蒸发材料达到沸点后挥发并沉积到样品表面，沉积成薄膜材料。主要用于金属薄膜的沉积。
技术指标：
蒸发源： 10kW 固体电容电源
晶片尺寸： 最大 6 英寸
真空度： 5E-7 Torr
蒸发物料： Ti、Au、Ag、Nb等金属
典型沉积速率： 0.5A~3A/s；
镀 膜 均 匀 性 ： ± 5 % （ w i t h i n 6
inch）