主要功能：
主要用于光刻胶剥离，材料的表面处理与表面改性等。
技术指标：
RF功率：1000W
反应腔体电极形式：笼式工艺气体配置：CF4、O2
光刻胶刻蚀速率：80nm/min
均匀性：±10%
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