主要功能：

  该设备利用一次离子束（氧离子或铯离子）轰击样品表面，溅射出正、负二次离子，用磁质谱法分析二次离子得到样品元素信息。

技术指标：

1.氧源冲击能范围：500 eV – 10 keV

2.氧源最小束斑直径：≤1.0微米（离子源 HV=+15 kV, 样品 HV=+5 kV）

3.铯源冲击能范围：负二次离子模式下3-15 keV，正二次离子模式下 500 eV-5 keV （MCs+或MCs2+模式）

4.铯源最小束斑直径：≤ 1.0微米（离子源HV=+10 kV, 样品 HV = +5 kV）

5.质量分辨率：MRP 300-20000

6.质量范围：在5 kV二次高压下1-360 amu，在1.2 kV二次高压下 >1500 amu

7.样品尺寸：标准样品尺寸为8 mm*8 mm（厚度小于2 mm）

 

离子图像

深度测量